等离子清洗与去胶区别

文章出处：等离子清洗机厂家 | 快盈47| 发表时间：2024-03-29

等离子清洗和等离子去胶都是利用等离子体技术的表面处理技术，它们在某些方面存在相似之处，但具体应用和目的有所不同。

等离子清洗主要是通过利用等离子体的活性组分来进行物理和化学反应，从而改变样品表面的性质，达到清洁、改性、刻蚀等目的。这种清洗方式环境安全，不涉及刺激性化学品，对材料表面的影响较小。

等离子清洗机常用于处理ITO、FTO、光学玻璃、半导体、硅片、金属、陶瓷以及聚合物等基片表面的杂质，可以提高基片表面附着力或者改善表面亲水性，在衬底涂层、基片镀膜或者键合等方面有广泛应用。

等离子去胶，也称为干法式去胶，其原理主要是利用氧原子核和光刻胶在等离子体环境中发生反应来去除光刻胶。在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳、二氧化碳和水等，然后通过真空泵将这些物质抽走，从而达到去胶的目的。这种去胶方式主要应用于半导体单片扫胶、扫底膜工艺、元器件封装前、芯片制造等行业的重要清洗步骤，具有高效、环保、安全的特点。

等离子清洗与去胶的区别

等离子清洗与等离子去胶从工艺上看大致相同。等离子去胶实际上即是一种清洗过程,只是在此无机杂质可以忽略,只要把光刻胶去除干净即可。由于等离子去胶工艺主要以与聚合有机物发生化学反应为主，去胶主要看中去胶的速率与均匀性。相比于等离子清洗，对工艺的要求更高，采用传统等离子清洗设备结构无法满足去胶效果需求。等离子去胶机是肯定可以用来进行等离子清洗的，但是等离子清洗机确不一定能满足等离子去胶的要求，也有些低要求的场景可以用等离子清洗机来去胶。

总的来说，等离子清洗和等离子去胶都是利用等离子体技术的表面处理技术，它们在原理上有相似之处，但具体应用和目的有所不同。前者主要用于表面的清洁和改性，而后者则主要用于去除特定的物质，如光刻胶。在实际应用中，应根据具体的工艺需求选择合适的处理技术。