晶圆等离子去胶机

产品型号：NE-PE13F
性能特点：去胶快速彻底对样片无损伤
产品用途：光刻胶去除

产品介绍
产品参数

干法去胶也叫等离子体去胶,等离子去胶法,去胶气体一般为氧气。等离子去胶机其工作原理是将硅片置于真空反应系统中,抽真空后充入一定量的氧气，然后打开等离子去胶机的高频功率发生器从而产生高频磁场，而低压的氧气会在高频电磁场的作用下电离成分子、原子、离子以及电子的混合体，这些混合体就被称为氧等离子体。在这些非完全电离的混合体中，氧离子的能量极高，它能够与光刻胶相撞击从而破坏光刻胶内的C-H键，C原子和H原子又和等离子体中的O原子发生氧化反应，从而生成CO、CO2和H2O等混合气体，后随着不断流动的氧气流排出到去胶机外部，最终完成去胶过程。

等离子去胶机产品特点：

1. 桌面型，设计紧凑美观产品性价比高；
2. 操作简便上手快、使用成本极低、易于维护；
3. 去胶快速彻底对样片无损伤；
4. 适合于4~8寸硅片清洗，适合集成电路客户的不同应用
5. 内置双层气浴电极，有效提高清洗效率，电极间距可调；
6.配置13.56MHz射频等离子发生器，兼具化学反应和物理离子溅射轰击；

等离子去胶机应用：

SU-8及PI光刻胶去除
刻蚀、离子注入后去胶
清洁晶圆上的有机污染物

与传统的湿法去胶法相比，等离子去胶机具有去胶灰化率高、可靠性高、操作方便，效率高，表面干净，无划痕，芯片温度低的优点。同时，光刻胶膜的去除不依赖于光刻胶的种类及光刻过程(如烘焙的温度和时间等)。其工艺过程特点在于要经由等离子和气体扩散进行真空腔体反应。由于光刻胶的主要成分是树脂、感光材料和有机溶剂，它们的分子结构都是由长链的碳、氢、氧组成，氧等离子体去胶工艺是利用氧等离子体中的高反应活性的单原子氧极易与光刻胶中的碳氢氧高分子化合物发生聚合物反应，从而生成易挥发性的反应物，最终达到去除光刻胶层的目的。

型号	等离子去胶机NE-PE13F
等离子发生器频率	13.56MHz
功率	0-300W可调
腔体尺寸	φ240 ×260mm
气路	标配两路工艺气体，带质量流量计
控制系统	7寸触摸屏
电极材质	铝合金
腔体材质	不锈钢
外形尺寸	400650600

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